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AVD0.5P

更新时间： 2024-02-11 17:36:04

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其他 - ETC		晶体晶体管
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1页	16K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 300MA I(C) \| SOT-122VAR

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AVD0.5P 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	O-CRPM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AVD0.5P 数据手册

AVD0.5P

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .280 4L PILL

The ASI AVD0.5P is Designed for

Class A, DME/TACAN Applications up

to 1150 MHz.

FEATURES:

ØB

• Class A Operation

• P_G= 10 dB at 0.5 W/1150 MHz

• Omnigold™ Metalization System

ØC

MAXIMUM RATINGS

300 mA

20 V

I_C

V_CE

P_DISS

T_J

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

.220 / 5.59

.230 / 5.84

1.055 / 26.80

.285 / 7.24

.006 / 0.15

.060 . 1.52

.130 / 3.30

.275 / 6.99

.004 / 0.10

.050 / 1.27

.118 / 3.00

--- W

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

35.0 °C/W

T_STG

θ_JC

ORDER CODE: ASI10551

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 1.0 mA

I_C= 5.0 mA

I_E= 1.0 mA

BV_CEO

BV_EBO

I_CES

3.5

V_CE= 28 V

1.0

---

V_CE= 5.0 V

I_C= 100 mA

120

h_FE

V_CC= 12.5 V P_OUT= 0.5 W

f = 1025 - 1150 MHz

P_G

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. B

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