AVD090P

更新时间： 2024-02-04 06:59:45

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ASI		晶体晶体管射频放大器
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1页	19K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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AVD090P 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.06
Is Samacsys：	N	基于收集器的最大容量：	40 pF
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	O-CRDB-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AVD090P 数据手册

AVD090P

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE .280 4L PILL (A)

DESCRIPTION:

.100x45°

The ASI AVD090P is Designed for

FEATURES:

ØG

· Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

6.5 A PEAK

55 V

I_C

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

.095 / 2.41

.195 / 4.95

1.000 / 25.40

.004 / 0.10

.050 / 1.27

.105 / 2.67

.205 / 5.21

V_CB

P_DISS

T_J

250 W PEAK

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

0.6 ^OC/W

.007 / 0.18

.065 / 1.65

.145 / 3.68

.285 / 7.21

.275 / 6.99

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10563

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 10 mA

I_E= 1 mA

BV_CER

BV_EBO

I_CES

R_BE= 10 W

3.5

V_CB= 50 V

V_CE= 5.0 V

6.25

100

---

h_FE

I_C= 1.0 A

P_G

8.5

V_CC= 50 V

P_OUT= 90 W

f = 1025 - 1150 MHz

h_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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