AVD035

更新时间： 2024-01-13 16:44:58

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	20K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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AVD035 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.06
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	O-CRDB-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AVD035 数据手册

AVD035F

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE .250 2L FLG (B)

.100 X 45°

Ø D

.088 x 45°

CHAMFER

DESCRIPTION:

The ASI AVD035F is Designed for

FEATURES:

· Omnigold™ Metalization System

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

.095 / 2.41

1.050 / 26.67

.245 / 6.22

.105 / 2.67

MAXIMUM RATINGS

.255 / 6.48

.140 / 3.56

.572 / 14.53

.810 / 20.57

.285 / 7.24

.007 / 0.18

.072 / 1.83

.130 / 3.30

.210 / 5.33

2.5 A PEAK

55 V

I_C

.120 / 3.05

.552 / 14.02

.790 / 20.07

V_CB

P_DISS

T_J

.003 / 0.08

.052 / 1.32

.120 / 3.05

100 W PEAK

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

1.0 ^OC/W

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10558

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 10 mA

I_E= 1 mA

BV_CER

BV_EBO

I_CES

R_BE= 10 W

3.5

V_CE= 50 V

V_CE= 5.0 V

5.0

---

h_FE

I_C= 500 mA

120

P_G

V_CC= 50 V

MHz

P_OUT= 35 W

f = 1025 - 1150

h_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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