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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 子类别： | Other Transistors | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ATF26350 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30MA I(DSS) | MICRO-XVAR |
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| ATF26550 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30MA I(DSS) | MICRO-XVAR |
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| ATF26836 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30MA I(DSS) | MICRO-X |
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| ATF-26836 | AGILENT |
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2-16 GHz General Purpose Gallium Arsenide FET |
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| ATF-26836-STR | AGILENT |
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2-16 GHz General Purpose Gallium Arsenide FET |
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| ATF-26836-TR1 | AGILENT |
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2-16 GHz General Purpose Gallium Arsenide FET |
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| ATF26884 | AGILENT |
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2-16 GHz General Purpose Gallium Arsenide FET |
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| ATF-26884 | AGILENT |
获取价格 |
2-16 GHz General Purpose Gallium Arsenide FET |
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| ATF-26884-STR | AGILENT |
获取价格 |
2-16 GHz General Purpose Gallium Arsenide FET |
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| ATF-26884-TR1 | AGILENT |
获取价格 |
2-16 GHz General Purpose Gallium Arsenide FET |
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