ATF-26836-STR

更新时间： 2024-01-18 07:17:52

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安捷伦 - AGILENT		晶体晶体管
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描述
2-16 GHz General Purpose Gallium Arsenide FET

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ATF-26836-STR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	MICROWAVE, S-CXMW-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	7 V	最大漏极电流 (ID)：	0.09 A
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最高频带：	KU BAND
JESD-30 代码：	S-CXMW-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	MICROWAVE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	0.275 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	UNSPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

ATF-26836-STR 数据手册

2–16 GHz General Purpose

Gallium Arsenide FET

Technical Data

ATF-26836

Features

• High Output Power:

Description

The ATF-26836 is a high perfor-

36 micro-X Package

18.0 dBmTypicalP _1dBat12 GHz mance gallium arsenide Schottky-

barrier-gate field effect transistor

• High Gain:

housed in a cost effective

9.0dBTypicalG_SSat12 GHz

microstrip package. This device is

• Cost Effective Ceramic

designed for use in oscillator

applications and general purpose

Microstrip Package

• Tape-and-Reel Packaging

Option Available^[1]

amplifier applications in the

2-16 GHzfrequencyrange.

This GaAs FET device has a

nominal 0.3 micron gate length

with a total gate periphery of

250 microns.Provengoldbased

metallization systems and nitride

passivation assure a rugged,

reliable device.

Electrical Specifications, T_A= 25°C

Symbol

Parameters and Test Conditions

Units Min. Typ. Max.

G_SS

Tuned Small Signal Gain: V_DS= 5 V, I_DS= 30 mA

Optimum Noise Figure: V_DS= 3 V, I_DS= 10 mA

f=12.0GHz dB

7.0

9.0

NF_O

G_A

f=12.0GHz dB

2.2

6.0

Gain @ NF_O: V_DS= 3 V, I = 10 mA

P_{1 dB}

Power Output @ 1 dB Gain Compression:

V_DS=5V, I_DS=30mA

f=12.0GHz dBm 15.0

18.0

g_m

I_DSS

V_P

Transconductance: V_DS= 3 V, V_GS= 0 V

Saturated Drain Current: V_DS= 3 V, V_GS= 0 V

Pinch-off Voltage: V_DS= 3 V, I_DS= 1 mA

mmho 15

-3.5

-1.5

-0.5

Note:

1. Refer to PACKAGING section “Tape-and-Reel Packaging for Surface Mount Semiconductors.”

5-67

5965-8704E

12 3 4

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