Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> ATF-36077-TRIG

ATF-36077-TRIG

更新时间： 2024-11-29 12:58:23

品牌	Logo	应用领域
安捷伦 - AGILENT		/
页数	文件大小	规格书
4页	49K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, CERAMIC, MICROSTRIP PACKAGE-4

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ATF-36077-TRIG 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.07	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	3 V
FET 技术：	HIGH ELECTRON MOBILITY	最高频带：	KU BAND
JESD-30 代码：	O-CRDB-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	11 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

ATF-36077-TRIG 数据手册

2–18 GHz Ultra Low Noise

Pseudomorphic HEMT

Technical Data

ATF-36077

77 Package

Features

• PHEMT Technology

Description

Hewlett-Packard’sATF-36077is

an ultra-low-noise Pseudomorphic

High Electron Mobility Transistor

(PHEMT), packaged in a low

parasitic, surface-mountable

ceramic package. Properly

matched, this transistor will

provide typical 12 GHz noise

figures of 0.5 dB, or typical 4 GHz

noise figures of 0.3 dB. Addition-

ally, the ATF-36077 has very low

noise resistance, reducing the

sensitivity of noise performance

to variations in input impedance

match, making the design of

broadband low noise amplifiers

much easier. The premium

• Ultra-Low Noise Figure:

0.5 dB Typical at 12 GHz

0.3 dB Typical at 4 GHz

• High Associated Gain:

12 dB Typical at 12 GHz

17 dB Typical at 4 GHz

• Low Parasitic Ceramic

Microstrip Package

• Tape-and-Reel Packing

Option Available

Pin Configuration

SOURCE

Applications

• 12 GHz DBS LNB (Low Noise

Block)

• 4 GHz TVRO LNB (Low Noise

Block)

• Ultra-Sensitive Low Noise

Amplifiers

DRAIN

GATE

sensitivity of the ATF-36077

makes this device the ideal choice

for use in the first stage of

SOURCE

extremely low noise cascades.

The repeatable performance and

consistency make it appropriate

for use in Ku-band Direct Broad-

cast Satellite (DBS) Television

systems, C-band Television

Receive Only (TVRO) LNAs, or

other low noise amplifiers

operatinginthe2-18 GHz

Note: 1. See Noise Parameter Table.

1.2

0.8

0.4

NF^[1]

frequency range.

This GaAs PHEMT device has a

nominal 0.2 micron gate length

with a total gate periphery (width)

of 200 microns. Proven gold based

metalization systems and nitride

passivation assure rugged, reliable

devices.

FREQUENCY (GHz)

Figure 1. ATF-36077 Optimum Noise

Figure and Associated Gain vs.

Frequency for V_DS= 1.5 V, I_D= 10 mA.

5965-8726E

5-75

12 3 4

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与ATF-36077-TRIG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ATF-36077-TRL	AGILENT	获取价格	2-18 GHz Ultra Low Noise Pseudomorphic HEMT
ATF36163	AGILENT	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel
ATF-36163	AGILENT	获取价格	1.5-18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT
ATF-36163	AVAGO	获取价格	1.5-18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT
ATF36163BLK	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 3V V(BR)DSS \| 40MA I(D) \| SOT-363
ATF-36163-BLK	AGILENT	获取价格	1.5-18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT
ATF-36163-BLKG	AVAGO	获取价格	1.5-18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT
ATF-36163-BLKG	AGILENT	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
ATF-36163-TR1	AGILENT	获取价格	1.5-18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT
ATF-36163-TR1G	AVAGO	获取价格	1.5-18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT

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