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ATF-36163-BLKG PDF预览

ATF-36163-BLKG

更新时间： 2024-11-27 06:38:35
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安华高科 - AVAGO 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器PC
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10页 177K
描述
1.5-18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT

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ATF-36163-BLKG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.11
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：776902Samacsys Pin Count：6
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：SOT23 (6-Pin)
Samacsys Footprint Name：SC-70 6L/SOT-363Samacsys Released Date：2019-11-06 14:05:39
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：3 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.04 A最大漏极电流 (ID)：0.04 A
FET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY最高频带：KU BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：0.18 W最小功率增益 (Gp)：9.4 dB
认证状态：Not Qualified子类别：FET RF Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

ATF-36163-BLKG 数据手册

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ATF-36163  
1.5 –18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT  
Data Sheet  
Description  
Features  
The Avago ATF-36163 is a low-noise Pseudomorphic  
High Electron MobilityTransistor (PHEMT), in the SOT-363  
(SC-70) package. When optimally matched for minimum  
noise figure, it will provide a noise figure of 1 dB at 12  
GHz and 0.6 dB at 4 GHz.  
• Lead-free Option Available  
• Low Minimum Noise Figure:  
1 dB Typical at 12 GHz  
0.6 dB Typical at 4 GHz  
• Associated Gain:  
9.4 dB Typical at 12 GHz  
15.8 dB Typical at 4 GHz  
Additionally, the ATF-36163 has low noise-resistance,  
which reduces the sensitivity of noise performance to  
variations in input impedance match. This feature makes  
the design of broad band low noise amplifiers much  
easier. The performance of the ATF-36163 makes this  
device the ideal choice for use in the 2nd or 3rd stage  
of low noise cascades. The repeatable performance and  
consistency make it appropriate for use in Ku-band Direct  
Broadcast Satellite (DBS) TV systems, C-band TV Receive  
Only (TVRO) LNAs, Multichannel Multipoint Distribution  
Systems (MMDS), X-band Radar detector and other low  
noise amplifiers operating in the 1.5 –18 GHz frequency  
range.  
• Maximum Available Gain:  
11 dB Typical at 12 GHz  
17 dB Typical at 4 GHz  
• Low Cost Surface Mount Small Plastic Package  
• Tape-and-Reel Packaging Option Available  
Applications  
• 12 GHz DBS Downconverters  
• 4 GHz TVRO Downconverters  
• S or L Band Low Noise Amplifiers  
This GaAs PHEMT device has a nominal 0.2 micron gate  
length with a total gate periphery (width) of 200 microns.  
Proven gold-based metallization system and nitride Pin Connections and Package Marking  
passivation assure rugged, reliable devices.  
SOURCE  
SOURCE  
GATE  
DRAIN  
Surface Mount Package  
SOT-363 (SC-70)  
SOURCE  
SOURCE  
Note: Top View. Package marking provides orientation and  
identification.  
“ 36 “ = Device code  
“ x “ = Data code character  
Attention: Observe precautions for  
handling electrostatic sensitive devices.  
ESD Machine Model (Class A)  
Refer to Avago Application Note A004R:  
Electrostatic Discharge Damage and Control.  
1234567...10

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ATF-36163-BLKG 替代型号

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ATF-36163-TR1G AVAGO

完全替代

 1.5-18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT
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 		X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, LEAD FREE, PLASTIC, SC-70, 4 PIN

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