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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> ATF-36163-TR1
ATF-36163-TR1 PDF预览

ATF-36163-TR1

更新时间： 2024-11-26 22:37:27
品牌 Logo 应用领域
安捷伦 - AGILENT 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
10页 96K
描述
1.5-18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT

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ATF-36163-TR1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.27其他特性：LOW NOISE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：3 V
最大漏极电流 (ID)：0.04 AFET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：6工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：0.18 W最小功率增益 (Gp)：9.4 dB
认证状态：Not Qualified子类别：FET RF Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE

ATF-36163-TR1 数据手册

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1.5–18 GHz Surface Mount  
Pseudomorphic HEMT  
Technical Data  
ATF-36163  
Features  
• Low Minimum Noise Figure:  
1 dB Typical at 12 GHz  
0.6 dB Typical at 4 GHz  
• Associated Gain:  
9.4 dB Typical at 12 GHz  
15.8 dB Typical at 4 GHz  
• Maximum Available Gain:  
11 dB Typical at 12 GHz  
17 dB Typical at 4 GHz  
• Low Cost Surface Mount  
Small Plastic Package  
• Tape-and-Reel Packaging  
Option Available  
Surface Mount Package  
SOT-363 (SC-70)  
Additionally, the ATF-36163 has  
low noise-resistance, which  
reduces the sensitivity of noise  
performance to variations in  
input impedance match. This  
feature makes the design of broad  
band low noise amplifiers much  
easier. The performance of the  
ATF-36163 makes this device the  
ideal choice for use in the 2nd or  
3rd stage of low noise cascades.  
The repeatable performance and  
consistency make it appropriate  
for use in Ku-band Direct  
Broadcast Satellite (DBS) TV  
systems, C-band TV Receive Only  
(TVRO) LNAs, Multichannel  
Multipoint Distribution Systems  
(MMDS), X-band Radar detector  
and other low noise amplifiers  
operating in the 1.5–18 GHz  
frequency range.  
Pin Connections and  
Package Marking  
SOURCE  
SOURCE  
GATE  
DRAIN  
SOURCE  
SOURCE  
Applications  
• 12 GHz DBS Downconverters  
• 4 GHz TVRO Downconverters  
• S or L Band Low Noise  
Amplifiers  
Note: Package marking provides  
orientation and identification.  
Description  
This GaAs PHEMT device has a  
nominal 0.2 micron gate length  
with a total gate periphery  
(width) of 200 microns. Proven  
gold-based metallization system  
and nitride passivation assure  
rugged, reliable devices.  
TheHewlett-PackardATF-36163  
is a low-noise Pseudomorphic  
High Electron Mobility Transistor  
(PHEMT), intheSOT-363(SC-70)  
package. When optimally matched  
for minimum noise figure, it will  
provide a noise figure of 1 dB at  
12GHzand0.6 dBat4GHz.  
5965-4747E  
5-79  
1234567...10

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