生命周期: | Active | 包装说明: | DIP-32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | Factory Lead Time: | 14 weeks |
风险等级: | 5.71 | 最长访问时间: | 250 ns |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
数据保留时间-最小值: | 10 | 耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T32 | 长度: | 42.2 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 128KX8 | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
页面大小: | 128 words | 并行/串行: | PARALLEL |
编程电压: | 5 V | 筛选级别: | MIL-STD-883 Class C |
座面最大高度: | 5.72 mm | 最大待机电流: | 0.0003 A |
最大压摆率: | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
切换位: | YES | 宽度: | 15.24 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | 写保护: | HARDWARE/SOFTWARE |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
AT28C010-25FM/883 | ATMEL |
完全替代 ![]() |
1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM |
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AT28C010-25FM/883 | MICROCHIP |
类似代替 ![]() |
IC EEPROM 1MBIT 250NS 32FLATPACK |
![]() |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT28C010-25EM/883 | ATMEL |
获取价格 |
1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM |
![]() |
AT28C010-25EM/883 | MICROCHIP |
获取价格 |
IC EEPROM 1MBIT 250NS 32CLCC |
![]() |
AT28C010-25FC | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
![]() |
AT28C010-25FI | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDFP32, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, FP-32 |
![]() |
AT28C010-25FM | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDFP32, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, FP-32 |
![]() |
AT28C010-25FM/883 | ATMEL |
获取价格 |
1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM |
![]() |
AT28C010-25FM/883 | MICROCHIP |
获取价格 |
IC EEPROM 1MBIT 250NS 32FLATPACK |
![]() |
AT28C010-25LC | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
![]() |
AT28C010-25LCE | ATMEL |
获取价格 |
暂无描述 |
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AT28C010-25LI | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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