是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DFP |
包装说明: | DFP, FL32,.5 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.59 |
最长访问时间: | 250 ns | 其他特性: | PAGE WRITE |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-CDFP-F32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 20.8 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DFP |
封装等效代码: | FL32,.5 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK | 页面大小: | 128 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.05 mm |
最大待机电流: | 0.0003 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | FLAT | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
切换位: | YES | 宽度: | 12.15 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT28C010-25FM/883 | ATMEL |
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1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM | |
AT28C010-25FM/883 | MICROCHIP |
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IC EEPROM 1MBIT 250NS 32FLATPACK | |
AT28C010-25LC | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28C010-25LCE | ATMEL |
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暂无描述 | |
AT28C010-25LI | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28C010-25LIE | ATMEL |
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暂无描述 | |
AT28C010-25LM | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28C010-25LM/883 | ATMEL |
获取价格 |
1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM | |
AT28C010-25LM/883E | ATMEL |
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Memory IC | |
AT28C010-25LME | MICROCHIP |
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Memory IC |