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AT28C010-25UM

更新时间: 2024-02-18 19:58:51
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爱特美尔 - ATMEL 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 347K
描述
EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CPGA30, CERAMIC, PGA-30

AT28C010-25UM 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:PGA
包装说明:PGA, PGA30,5X6针数:30
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.73
Is Samacsys:N最长访问时间:250 ns
其他特性:PAGE WRITE命令用户界面:NO
数据轮询:YES耐久性:10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-CPGA-P30JESD-609代码:e0
长度:16.5 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:30
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:PGA封装等效代码:PGA30,5X6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY
页面大小:128 words并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.4 mm最大待机电流:0.0003 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.08 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子节距:2.54 mm端子位置:PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:YES
宽度:14 mm最长写入周期时间 (tWC):10 ms
Base Number Matches:1

AT28C010-25UM 数据手册

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