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AT28C010E-12BM/883

更新时间: 2024-09-26 14:47:51
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爱特美尔 - ATMEL 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器ATM异步传输模式内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 347K
描述
EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

AT28C010E-12BM/883 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP32,.6针数:32
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.39
Is Samacsys:N最长访问时间:120 ns
其他特性:PAGE WRITE命令用户界面:NO
数据轮询:YES耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-CDIP-T32JESD-609代码:e0
长度:40.64 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP32,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
页面大小:128 words并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B座面最大高度:4.06 mm
最大待机电流:0.0003 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.08 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES宽度:15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC):10 msBase Number Matches:1

AT28C010E-12BM/883 数据手册

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