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AT28C010E-12BM

更新时间: 2024-01-15 09:08:40
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爱特美尔 - ATMEL 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 347K
描述
EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

AT28C010E-12BM 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP32,.6针数:32
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.39
最长访问时间:120 ns其他特性:PAGE WRITE
命令用户界面:NO数据轮询:YES
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-CDIP-T32
JESD-609代码:e0长度:40.64 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE页面大小:128 words
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.06 mm
最大待机电流:0.0003 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.08 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES宽度:15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC):10 msBase Number Matches:1

AT28C010E-12BM 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AT28C010E-12BM/883 ATMEL

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EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
AT28C010E-12DM MICROCHIP

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Military Grade 1-Mbit (131,072 x 8) Paged Parallel EEPROM
AT28C010E-12DM/883 ATMEL

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1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM
AT28C010E-12DM/883 MICROCHIP

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EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP32
AT28C010E-12EM MICROCHIP

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AT28C010E-12EM/883 ATMEL

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AT28C010E-12JC ATMEL

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