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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | PGA-30 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.86 |
| 最长访问时间： | 250 ns | JESD-30 代码： | R-CPGA-P30 |
| 长度： | 16.5 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 30 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 128KX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | PGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 编程电压： | 5 V |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 Class C | 座面最大高度： | 4.4 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | PERPENDICULAR | 宽度： | 14 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AT28C010-25VC | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, 0.356 X 0.429 INCH, DIE-34 |
|
| AT28C010-25VI | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28C010-25VM | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, 0.356 X 0.429 INCH, DIE-34 |
|
| AT28C010-DWF | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 200ns, Parallel, CMOS |
|
| AT28C010-DWFM | MICROCHIP |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, Parallel, CMOS, WAFER |
|
| AT28C010E | ATMEL |
获取价格 |
1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM |
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| AT28C010E-12BM | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32 |
|
| AT28C010E-12BM/883 | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32 |
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| AT28C010E-12DM | MICROCHIP |
获取价格 |
Military Grade 1-Mbit (131,072 x 8) Paged Parallel EEPROM |
|
| AT28C010E-12DM/883 | ATMEL |
获取价格 |
1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM |
|
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