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AS6UA5128-70BC

更新时间： 2024-02-20 14:34:37

品牌	Logo	应用领域
ALSC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	118K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PBGA36, CSP, FBGA-48/36

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技术参数
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AS6UA5128-70BC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA,
针数：	36	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	70 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B36	长度：	11 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	36
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7 mm	Base Number Matches：	1

AS6UA5128-70BC 数据手册

AS6UA5128

Write cycle (over the operating range)¹¹

–55

–70

Parameter

Write cycle time

Symbol

t_WC

t_CW

t_AW

t_AS

Min

Max

–

Min

Max

–

Unit

Notes

Chip select to write end

Address setup to write end

Address setup time

–

Write pulse width

t_WP

t_AH

t_DW

t_DH

–

Address hold from end of write

Data valid to write end

Data hold time

–

4, 5

Write enable to output in high Z t_WZ

Output active from write end t_OW

–

Write waveform 1 (WE controlled)^10,11

Address

Data valid

OUT

Write waveform 2 (CS controlled)^10,11

Address

Data valid

OUT

5/25/01; v.1.1

Alliance Semiconductor

P. 5 of 9

1 2 3 456 7 8 9

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