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AS6VA25616

更新时间： 2024-02-05 16:27:59
品牌 Logo 应用领域
ALSC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 175K
描述
2.7V to 3.3V 256K x 16 Intelliwatt low-power CMOS SRAM with one chip enable

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AS6VA25616 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.73
最长访问时间：55 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：18.41 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.000002 A
最小待机电流：1.2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.04 mA最大供电电压 (Vsup)：3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

AS6VA25616 数据手册

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October 2000  
AS6VA25616  
®
2.7V to 3.3V 256K × 16 Intelliwatt™ low-power CMOS SRAM with one chip enable  
• 1.2V data retention  
• Equal access and cycle times  
Features  
• AS6VA25616  
• Easy memory expansion with CS, OE inputs  
• Smallest footprint packages  
- 48-ball FBGA  
- 400-mil 44-pin TSOP II  
• ESD protection ≥ 2000 volts  
• Latch-up current ≥ 200 mA  
• Intelliwatt™ active power circuitry  
• Industrial and commercial temperature ranges available  
• Organization: 262,144 words × 16 bits  
• 2.7V to 3.3V at 55 ns  
• Low power consumption: ACTIVE  
- 132 mW at 3.3V and 55 ns  
• Low power consumption: STANDBY  
- 66 µW max at 3.3V  
Logic block diagram  
A0  
Pin arrangement (top view)  
44-pin 400-mil TSOP II  
VCC  
VSS  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
CS  
1
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
A5  
A1  
2
A6  
A2  
3
A7  
256K × 16  
Array  
(4,194,304)  
A3  
A4  
4
OE  
5
UB  
A6  
6
LB  
A7  
I/O16  
I/O15  
I/O14  
I/O13  
VSS  
VCC  
I/O1  
7
A8  
I/O2  
I/O3  
I/O4  
8
A12  
A13  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
VCC  
I/O1–I/O8  
I/O9–I/O16  
I/O  
Control circuit  
VSS  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
I/O  
buffer  
I/O12  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
NC  
Column decoder  
WE  
8
WE  
A17  
A16  
A15  
A14  
A13  
1
8
A8  
19  
20  
21  
22  
A9  
A10  
A11  
A12  
UB  
OE  
LB  
CS  
48-CSP Ball-Grid-Array Package  
1
2
3
4
5
6
A
B
C
D
E
LB  
OE  
A0  
A3  
A1  
A4  
A2  
NC  
I/O9 UB  
CS I/O1  
I/O10 I/O11 A5  
A6 I/O2 I/O3  
A7 I/O4  
I/O13 NC A16 I/O5  
V
I/O12 A17  
V
CC  
SS  
V
V
SS  
CC  
F
I/O15 I/O14 A14 A15 I/O6 I/O7  
I/O16 NC A12 A13 WE I/O8  
G
H
NC  
A8  
A9  
A10 A11 NC  
Selection guide  
V
Range  
Power Dissipation  
Operating (I Standby (I  
CC  
2
)
)
SB1  
CC  
Min  
(V)  
Typ  
Max  
(V)  
Speed  
(ns)  
Product  
(V)  
Max (mA)  
2
Max (µA)  
AS6VA25616  
2.7  
3.0  
3.3  
55  
20  
10/6/00  
ALLIANCE SEMICONDUCTOR  
1
Copyright ©2000 Alliance Semiconductor. All rights reserved.  
1234567...9

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
AS6VA25616-55TC ALSC Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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