是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | End Of Life | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.24 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 外壳连接: | SOURCE |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 450 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 15 A | 最大漏极电流 (ID): | 15 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 100 pF |
最高频带: | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JEDEC-95代码: | TO-247 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp): | 13 dB |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 65 ns |
最大开启时间(吨): | 25 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
ARF448B | ADPOW | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
获取价格 |
|
ARF448BG | MICROSEMI | RF Power Field-Effect Transistor |
获取价格 |
|
ARF449A | ADPOW | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
获取价格 |
|
ARF449A | MICROSEMI | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, |
获取价格 |
|
ARF449B | ADPOW | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
获取价格 |
|
ARF449B | MICROSEMI | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, |
获取价格 |