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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10 | 针数： | 12 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.73 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | COMPLEX | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X10 | 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 10 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 90 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 310 ns | 标称接通时间 (ton)： | 170 ns |
| VCEsat-Max： | 1.9 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGT30TL601G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Three level inverterVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 30Silic |
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| APTGT30TL60T3G | MICROSEMI |
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Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT30X60T3G | MICROSEMI |
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3 Phase bridge Trench + Field Stop IGBT® Powe |
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| APTGT30X60T3G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Three Phase bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 30Silicon |
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| APTGT35A120D1 | ADPOW |
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Phase leg Trench IGBT Power Module |
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| APTGT35A120T1G | MICROSEMI |
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Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT® Powe |
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| APTGT35A120T1G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Phase legVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 35Silicon type: T |
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| APTGT35DA120D1 | ADPOW |
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Boost chopper Trench IGBT® Power Module |
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| APTGT35DA120D1G | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| APTGT35H120T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT� Power Module |
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