5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.66 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 55 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 830 ns | 标称接通时间 (ton)： | 280 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGT35A120T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT® Powe |
|
| APTGT35A120T1G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Phase legVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 35Silicon type: T |
|
| APTGT35DA120D1 | ADPOW |
获取价格 |
Boost chopper Trench IGBT® Power Module |
|
| APTGT35DA120D1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
|
| APTGT35H120T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT� Power Module |
|
| APTGT35H120T3 | ADPOW |
获取价格 |
Full - Bridge Trench IGBT Power Module |
|
| APTGT35H120T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT35H120T3G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Full bridgeVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 35Silicon type: |
|
| APTGT35SK120D1 | ADPOW |
获取价格 |
Buck chopper Trench IGBT Power Module |
|
| APTGT35SK120D1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
