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Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGT35H120T3G
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APTGT35H120T3G

更新时间： 2024-09-28 04:01:23
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 263K
描述
Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT35H120T3G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25
针数：25Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：55 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：COMPLEX
JESD-30 代码：R-XUFM-X25JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：4
端子数量：25最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：610 ns
标称接通时间 (ton)：140 nsBase Number Matches：1

APTGT35H120T3G 数据手册

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APTGT35H120T3G  
Full - Bridge  
Fast Trench + Field Stop IGBT®  
Power Module  
VCES = 1200V  
IC = 35A @ Tc = 80°C  
Application  
13 14  
•
•
•
•
Welding converters  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
Q1  
Q3  
CR1  
22  
CR3  
11  
10  
18  
19  
Features  
7
8
•
Fast Trench + Field Stop IGBT® Technology  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
23  
Low tail current  
Q2  
29  
Q4  
CR2  
CR4  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
26  
27  
4
3
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
30  
31  
32  
•
•
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Low stray inductance  
15  
16  
R1  
High level of integration  
Internal thermistor for temperature monitoring  
28 27 26 25  
23 22  
20 19 18  
Benefits  
29  
30  
16  
15  
•
Outstanding performance at high frequency  
operation  
•
•
•
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
31  
32  
14  
13  
2
3
4
7
8
10 11  
12  
•
•
•
Low profile  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Each leg can be easily paralleled to achieve a phase  
leg of twice the current capability  
All multiple inputs and outputs must be shorted together  
Example: 13/14 ; 29/30 ; 22/23 …  
•
RoHS Compliant  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
1200  
55  
V
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
35  
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
70  
±20  
208  
V
W
TC = 25°C  
Tj = 125°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
70A@1150V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 5  
www.microsemi.com  
12345

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与APTGT35H120T3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT35H120T3G-Module MICROCHIP

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 		Configuration: Full bridgeVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 35Silicon type:
APTGT35SK120D1 ADPOW

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 		Buck chopper Trench IGBT Power Module
APTGT35SK120D1G MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
APTGT35X120BTP3 ADPOW

获取价格

 		Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT35X120BTP3G MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
APTGT35X120RTP3 ADPOW

获取价格

 		Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT35X120RTP3G MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
APTGT35X120T3G MICROSEMI

获取价格

 		3 Phase bridge Trench + Field Stop IGBT® Powe
APTGT35X120T3G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Three Phase bridgeVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 35Silico
APTGT400A120 ADPOW

获取价格

 		Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module

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