Datasheet > APTGT35X120BTP3G

APTGT35X120BTP3G

更新时间： 2024-11-15 14:47:47

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网电动机控制栅瞄准线晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	269K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

APTGT35X120BTP3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35	针数：	35
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.07
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	40 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	COMPLEX	JESD-30 代码：	R-XUFM-X35
JESD-609代码：	e1	湿度敏感等级：	1
元件数量：	7	端子数量：	35
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	610 ns	标称接通时间 (ton)：	135 ns
Base Number Matches：	1

APTGT35X120BTP3G 数据手册

APTGT35X120RTP3

APTGT35X120BTP3

Input rectifier bridge + Brake

+ 3 Phase Bridge

V_CES= 1200V

I_C= 35A @ Tc = 80°C

Trench IGBT

^®

Power Module

Application

•

Features

•

AC Motor control

Trench + Field Stop IGBT^®Technology

Low voltage drop

Low tail current

Switching frequency up to 20 kHz

Soft recovery parallel diodes

Low diode VF

Low leakage current

Avalanche energy rated

RBSOA and SCSOA rated

•

Kelvin emitter for easy drive

Very low stray inductance

High level of integration

Internal thermistor for temperature monitoring

APTGT35X120RTP3: Without Brake (Pin 7 & 14 not connected)

20 19

18 17

16 15

14 13 12 11 10

Benefits

•

Low conduction losses

Stable temperature behavior

Very rugged

Solderable terminals for easy PCB mounting

Direct mounting to heatsink (isolated package)

Low junction to case thermal resistance

Easy paralleling due to positive TC of VCEsat

Low profile

All ratings @ T_j= 25°C unless otherwise specified

1. Absolute maximum ratings

Diode rectifier Absolute maximum ratings

Symbol

V_RRM

I_D

Parameter

Max ratings

1600

Unit

Repetitive Peak Reverse Voltage

DC Forward Current

T_C= 80°C

T_j= 25°C

T_j= 150°C

320

260

I_FSM

Surge Forward Current

t_p= 10ms

These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.

1 - 4

APT website – http://www.advancedpower.com

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与APTGT35X120BTP3G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APTGT35X120RTP3	ADPOW	获取价格	Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT35X120RTP3G	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
APTGT35X120T3G	MICROSEMI	获取价格	3 Phase bridge Trench + Field Stop IGBT® Powe
APTGT35X120T3G-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Three Phase bridgeVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 35Silico
APTGT400A120	ADPOW	获取价格	Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT400A120D3G	MICROSEMI	获取价格	Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT400A120D3G-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Phase legVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 400Silicon type:
APTGT400A120G	MICROSEMI	获取价格	Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT400A120G-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Phase legVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 400Silicon type:
APTGT400A60D3G	MICROSEMI	获取价格	Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module

与APTGT35X120BTP3G相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

11
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

4
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

30
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

13

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APTGT35X120BTP3G

APTGT35X120BTP3G 技术参数

APTGT35X120BTP3G 数据手册

与APTGT35X120BTP3G相关器件

与APTGT35X120BTP3G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APTGT35X120BTP3G

APTGT35X120BTP3G 技术参数

APTGT35X120BTP3G 数据手册

与APTGT35X120BTP3G相关器件

与APTGT35X120BTP3G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？