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APTGT400A120

更新时间： 2024-09-28 04:49:39

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描述
Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT400A120 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	500 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	元件数量：	2
端子数量：	7	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	620 ns
标称接通时间 (ton)：	340 ns	Base Number Matches：	1

APTGT400A120 数据手册

APTGT400A120

Phase leg

Fast Trench + Field Stop IGBT^®

Power Module

V_CES= 1200V

I_C= 400A @ Tc = 80°C

Application

•

Welding converters

VBUS

Switched Mode Power Supplies

Uninterruptible Power Supplies

Motor control

Features

OUT

•

Fast Trench + Field Stop IGBT^®Technology

Low voltage drop

Low tail current

Switching frequency up to 20 kHz

Soft recovery parallel diodes

Low diode VF

Low leakage current

0/VBUS

Avalanche energy rated

RBSOA and SCSOA rated

•

Kelvin emitter for easy drive

Very low stray inductance

Symmetrical design

M5 power connectors

•

High level of integration

VBUS

0/VBUS

OUT

Benefits

•

Stable temperature behavior

Very rugged

Direct mounting to heatsink (isolated package)

Low junction to case thermal resistance

Easy paralleling due to positive TC of VCEsat

Low profile

Absolute maximum ratings

Symbol

Parameter

Max ratings

Unit

V_CES

Collector - Emitter Breakdown Voltage

1200

560 *

400

T_C= 25°C

T_C= 80°C

T_C= 25°C

I_C

Continuous Collector Current

I_CM

V_GE

P_D

Pulsed Collector Current

Gate – Emitter Voltage

Maximum Power Dissipation

800

±20

T_C= 25°C

1785

RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area

T_j= 125°C 800A @ 1100V

* Specification of IGBT device but output current must be limited to 500A to not exceed a delta of temperature

greater than 100°C for the connectors.

These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.

1 - 5

APT website – http://www.advancedpower.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APTGT400A120D3G	MICROSEMI	获取价格	Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT400A120D3G-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Phase legVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 400Silicon type:
APTGT400A120G	MICROSEMI	获取价格	Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT400A120G-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Phase legVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 400Silicon type:
APTGT400A60D3G	MICROSEMI	获取价格	Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT400A60D3G_11	MICROSEMI	获取价格	Phase leg Trench + Field Stop IGBT3 Power Module
APTGT400A60D3G-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Phase legVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 400Silicon type: T
APTGT400DA120D3G	MICROSEMI	获取价格	Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT400DA120G	MICROSEMI	获取价格	Boost chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT400DA120G-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Boost chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 400Silicon ty

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