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Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGT400DA60D3G
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APTGT400DA60D3G

更新时间： 2024-11-15 06:37:31
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
5页 210K
描述
Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT400DA60D3G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5针数：11
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.73Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：500 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X5
元件数量：1端子数量：5
最高工作温度：175 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1250 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：600 ns
标称接通时间 (ton)：190 nsVCEsat-Max：1.9 V
Base Number Matches：1

APTGT400DA60D3G 数据手册

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APTGT400DA60D3G  
Boost chopper  
Trench + Field Stop IGBT  
Power Module  
VCES = 600V  
IC = 400A @ Tc = 80°C  
Application  
AC and DC motor control  
3
•
•
•
Switched Mode Power Supplies  
Power Factor Correction  
Features  
1
Q2  
•
Trench + Field Stop IGBT Technology  
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
6
7
2
Low leakage current  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
High level of integration  
M6 power connectors  
Benefits  
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
RoHS Compliant  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
500  
400  
800  
±20  
1250  
V
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
Tj = 125°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
800A @ 520V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
See application note APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 5  
www.microsemi.com  
12345

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与APTGT400DA60D3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT400DA60D3G_11 MICROSEMI

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 		Boost chopper Trench + Field Stop IGBT3 Power Module
APTGT400DA60D3G-Module MICROCHIP

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 		Configuration: Boost chopperVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 400Silicon typ
APTGT400DU120 ADPOW

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 		Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT400DU120G MICROSEMI

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 		Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT400DU120G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Dual common sourceVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 400Silic
APTGT400SK120 ADPOW

获取价格

 		Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT400SK120D3G MICROSEMI

获取价格

 		Buck Chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT400SK120G MICROSEMI

获取价格

 		Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT400SK120G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Buck chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 400Silicon typ
APTGT400SK60D3G MICROSEMI

获取价格

 		Buck Chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module

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