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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | MODULE-5 | 针数： | 5 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.21 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 550 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X5 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1750 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 400 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 205 ns | VCEsat-Max： | 1.8 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGT450SK60G | MICROSEMI |
获取价格 |
Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT450SK60G-Module | MICROCHIP |
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Configuration: Buck chopperVCES (V): 600VCESat (V): 1.4Current (A) Tc=80C: 450Silicon type |
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| APTGT50A120D1 | ADPOW |
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Phase leg Trench IGBT Power Module |
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| APTGT50A120T | ADPOW |
获取价格 |
Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT50A120T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT? Power Module |
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| APTGT50A120T1G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Phase legVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 50Silicon type: T |
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| APTGT50A120TG | MICROSEMI |
获取价格 |
Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT50A170D1 | ADPOW |
获取价格 |
Phase leg Trench IGBT Power Module |
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| APTGT50A170T | ADPOW |
获取价格 |
Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT50A170T | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-12 |
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