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APTGT50A170T

更新时间： 2024-11-20 20:25:11

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	279K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-12

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APTGT50A170T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	MODULE-12	针数：	12
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.15
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X12	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	12
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	312 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1100 ns	标称接通时间 (ton)：	450 ns
VCEsat-Max：	2.4 V	Base Number Matches：	1

APTGT50A170T 数据手册

APTGT50A170T

Phase leg

Trench + Field Stop IGBT^®

Power Module

V_CES= 1700V

I_C= 50A @ Tc = 80°C

Application

VBUS

NTC2

•

Welding converters

Switched Mode Power Supplies

Uninterruptible Power Supplies

Motor control

Features

•

Trench + Field Stop IGBT^®Technology

OUT

Low voltage drop

Low tail current

Switching frequency up to 20 kHz

Soft recovery parallel diodes

Low diode VF

Low leakage current

Avalanche energy rated

RBSOA and SCSOA rated

0/VBUS

NTC1

•

Kelvin emitter for easy drive

Very low stray inductance

Symmetrical design

Lead frames for power connections

•

High level of integration

Internal thermistor for temperature monitoring

Benefits

OUT

•

Stable temperature behavior

Very rugged

VBUS

0/VBUS

Solderable terminals for easy PCB mounting

Direct mounting to heatsink (isolated package)

Low junction to case thermal resistance

Easy paralleling due to positive TC of VCEsat

Low profile

NTC2

NTC1

Absolute maximum ratings

Symbol

Parameter

Max ratings

Unit

V_CES

Collector - Emitter Breakdown Voltage

1700

T_C= 25°C

T_C= 80°C

T_C= 25°C

I_C

Continuous Collector Current

I_CM

V_GE

P_D

Pulsed Collector Current

Gate – Emitter Voltage

Maximum Power Dissipation

100

±20

312

T_C= 25°C

RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area

T_j= 125°C 100A @ 1600V

These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.

1 - 5

APT website – http://www.advancedpower.com

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APTGT50A170T1G	MICROSEMI	获取价格	Phase leg Trench + Field Stop IGBT® Power Mod
APTGT50A170T1G-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Phase legVCES (V): 1700VCESat (V): 2Current (A) Tc=80C: 50Silicon type: TRE
APTGT50A170TG	MICROSEMI	获取价格	Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50A170TG-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Phase legVCES (V): 1700VCESat (V): 2Current (A) Tc=80C: 50Silicon type: TRE
APTGT50A60T1G	MICROSEMI	获取价格	Phase leg Trench + Field Stop IGBT® Power Mod
APTGT50DA120D1	ADPOW	获取价格	Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT50DA120D1	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
APTGT50DA120D1G	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
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