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APTGT50DH120T

更新时间： 2024-11-24 06:37:31
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 280K
描述
Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT50DH120T 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.67
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：75 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTORJESD-30 代码：R-XUFM-X14
元件数量：2端子数量：14
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：610 ns标称接通时间 (ton)：140 ns
Base Number Matches：1

APTGT50DH120T 数据手册

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APTGT50DH120T  
Asymmetrical - Bridge  
Fast Trench + Field Stop IGBT®  
Power Module  
VCES = 1200V  
IC = 50A @ Tc = 80°C  
Application  
VBUS  
•
•
•
Welding converters  
VBUS SENSE  
Switched Mode Power Supplies  
Switched Reluctance Motor Drives  
Q1  
G1  
CR3  
Features  
•
Fast Trench + Field Stop IGBT® Technology  
E1  
OUT1  
OUT2  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Q4  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
G4  
E4  
CR2  
Low leakage current  
0/VBUS SENSE  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
NTC1  
NTC2  
0/VBUS  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
•
High level of integration  
Internal thermistor for temperature monitoring  
Benefits  
G4  
E4  
VBUS  
OUT2  
OUT1  
SENSE  
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
0/VBUS  
VBUS  
E1  
NTC2  
NTC1  
0/VBUS  
SENSE  
G1  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
1200  
V
TC = 25°C  
75  
50  
100  
±20  
277  
IC  
Continuous Collector Current  
A
TC = 80°C  
TC = 25°C  
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
Tj = 125°C 100A @ 1150V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 5  
APT website – http://www.advancedpower.com  
12345

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与APTGT50DH120T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT50DH120T3G MICROSEMI

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 		Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50DH120TG MICROSEMI

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 		Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50DH120TG-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Asymmetrical bridgeVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 50Silic
APTGT50DH170T ADPOW

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