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Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGT35X120BTP3
APTGT35X120BTP3 PDF预览

APTGT35X120BTP3

更新时间： 2024-11-15 04:01:23
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管电动机控制瞄准线双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 274K
描述
Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module

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APTGT35X120BTP3 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.64
Is Samacsys：N其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：40 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：COMPLEX
JESD-30 代码：R-XUFM-X35元件数量：7
端子数量：35封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：610 ns
标称接通时间 (ton)：135 nsBase Number Matches：1

APTGT35X120BTP3 数据手册

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APTGT35X120RTP3  
APTGT35X120BTP3  
Input rectifier bridge + Brake  
+ 3 Phase Bridge  
VCES = 1200V  
IC = 35A @ Tc = 80°C  
Trench IGBT
®
Power Module  
Application  
•
Features  
•
AC Motor control  
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
High level of integration  
Internal thermistor for temperature monitoring  
APTGT35X120RTP3: Without Brake (Pin 7 & 14 not connected)  
21  
20 19  
18 17  
16 15  
14 13 12 11 10  
Benefits  
•
•
•
•
•
•
•
•
Low conduction losses  
Stable temperature behavior  
Very rugged  
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
22  
23  
24  
9
8
7
1
2
3
4
5
6
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified  
1. Absolute maximum ratings  
Diode rectifier Absolute maximum ratings  
Symbol  
VRRM  
ID  
Parameter  
Max ratings  
1600  
Unit  
V
Repetitive Peak Reverse Voltage  
DC Forward Current  
TC = 80°C  
Tj = 25°C  
Tj = 150°C  
80  
320  
260  
A
IFSM  
Surge Forward Current  
tp = 10ms  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 4  
APT website – http://www.advancedpower.com  
1234

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与APTGT35X120BTP3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT35X120BTP3G MICROSEMI

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
APTGT35X120RTP3 ADPOW

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 		Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT35X120RTP3G MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
APTGT35X120T3G MICROSEMI

获取价格

 		3 Phase bridge Trench + Field Stop IGBT® Powe
APTGT35X120T3G-Module MICROCHIP

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 		Configuration: Three Phase bridgeVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 35Silico
APTGT400A120 ADPOW

获取价格

 		Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT400A120D3G MICROSEMI

获取价格

 		Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT400A120D3G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Phase legVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 400Silicon type:
APTGT400A120G MICROSEMI

获取价格

 		Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT400A120G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Phase legVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 400Silicon type:

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