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APTGT200TL60G PDF预览

APTGT200TL60G

更新时间： 2024-11-24 06:37:31
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
7页 221K
描述
Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT200TL60G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12针数：12
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：2.29Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：300 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：COMPLEX
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X12
元件数量：4端子数量：12
最高工作温度：175 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：652 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：370 ns
标称接通时间 (ton)：180 nsVCEsat-Max：1.9 V
Base Number Matches：1

APTGT200TL60G 数据手册

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APTGT200TL60G  
Three level inverter  
Trench + Field Stop IGBT  
Power Module  
VCES = 600V  
IC = 200A @ Tc = 80°C  
VBUS  
Application  
•
•
Solar converter  
Uninterruptible Power Supplies  
CR1  
G1  
Q1  
E1  
Features  
•
Trench + Field Stop IGBT Technology  
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
CR5  
CR2  
G2  
Q2  
NEUTRAL  
E2  
OUT  
Low leakage current  
RBSOA and SCSOA rated  
CR3  
G3  
CR6  
Q3  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
E3  
-
-
Symmetrical design  
M5 power connectors  
CR4  
G4  
Q4  
•
High level of integration  
E4  
Benefits  
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
0/VBUS  
VBUS  
0/VBUS  
G1  
E1  
G4  
E4  
NEUTRAL  
RoHS Compliant  
E3  
G3  
E2  
G2  
OUT  
Q1 to Q4 Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
600  
Unit  
V
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
300  
200  
400  
±20  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
Tj = 150°C  
652  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
400A @ 550V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 7  
www.microsemi.com  
1234567

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与APTGT200TL60G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT200TL60G-Module MICROCHIP

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 		Configuration: Three level inverterVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 200Sili
APTGT200U120D4 ADPOW

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 		Single switch Trench IGBT Power Module
APTGT200U120D4 MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-4
APTGT200U120D4G MICROSEMI

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-4
APTGT200U170D4 ADPOW

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 		Single switch Trench IGBT Power Module
APTGT20A60T1G MICROSEMI

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