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APTGT200U120D4G

更新时间： 2024-11-24 21:02:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网电动机控制栅晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 190K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-4

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APTGT200U120D4G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.73
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：300 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X4JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：830 ns标称接通时间 (ton)：280 ns
Base Number Matches：1

APTGT200U120D4G 数据手册

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APTGT200U120D4  
VCES = 1200V  
IC = 200A @ Tc = 80°C  
Single switch  
Trench IGBT® Power Module  
Application  
1
•
•
•
•
Welding converters  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
3
Features  
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
5
•
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
2
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Low stray inductance  
-
-
M6 connectors for power  
M4 connectors for signal  
•
High level of integration  
2
1
Benefits  
4
•
Outstanding performance at high frequency  
operation  
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
5
3
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
1200  
300  
Unit  
V
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
200  
400  
±20  
1040  
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
TJ = 125°C  
RBSOA Reverse Bias Save Operating Area  
400A @ 1100V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 3  
APT website – http://www.advancedpower.com  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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