5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 32 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | COMMON COLLECTOR, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | JESD-30 代码： | R-XUFM-X25 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 25 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 310 ns | 标称接通时间 (ton)： | 170 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGT20DDA60T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT20DSK60T3 | ADPOW |
获取价格 |
Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT20DSK60T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT20H60T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Full bridge Trench + Field Stop IGBT® Power M |
|
| APTGT20H60T1G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Full bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 20Silicon type: |
|
| APTGT20H60T3 | ADPOW |
获取价格 |
Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT20H60T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT20TL601G | MICROSEMI |
获取价格 |
Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT20TL601G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Three level inverterVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 20Silic |
|
| APTGT20TL60T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
