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Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGT20DSK60T3G
APTGT20DSK60T3G PDF预览

APTGT20DSK60T3G

更新时间： 2024-11-27 04:49:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
5页 264K
描述
Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT20DSK60T3G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25针数：25
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.73
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：32 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：COMMON COLLECTOR, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X25
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：25
最高工作温度：175 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：62 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：310 ns标称接通时间 (ton)：170 ns
VCEsat-Max：1.9 VBase Number Matches：1

APTGT20DSK60T3G 数据手册

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APTGT20DSK60T3G  
Dual Buck chopper  
Trench + Field Stop IGBT®  
Power Module  
VCES = 600V  
IC = 20A @ Tc = 80°C  
Application  
13 14  
•
•
AC and DC motor control  
Switched Mode Power Supplies  
Q1  
Q2  
18  
19  
11  
10  
Features  
•
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
22  
23  
7
8
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
CR1  
CR2  
32  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
29  
15  
30  
31  
R1  
16  
-
Symmetrical design  
•
•
High level of integration  
Internal thermistor for temperature monitoring  
28 27 26 25  
23 22  
20 19 18  
Benefits  
29  
16  
•
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
30  
15  
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
31  
32  
14  
13  
2
3
4
7
8
10 11  
12  
Each leg can be easily paralleled to achieve a  
single buck of twice the current capability.  
RoHS Compliant  
All multiple inputs and outputs must be shorted together  
Example: 13/14 ; 29/30 ; 22/23 …  
•
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
V
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
TC = 25°C  
32  
IC  
Continuous Collector Current  
A
TC = 80°C  
TC = 25°C  
20  
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
40  
±20  
V
W
TC = 25°C  
TJ = 150°C  
Maximum Power Dissipation  
62  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
40A @ 550V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 5  
www.microsemi.com  
12345

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与APTGT20DSK60T3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT20H60T1G MICROSEMI

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 		Full bridge Trench + Field Stop IGBT® Power M
APTGT20H60T1G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Full bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 20Silicon type:
APTGT20H60T3 ADPOW

获取价格

 		Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT20H60T3G MICROSEMI

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 		Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT20TL601G MICROSEMI

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 		Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT20TL601G-Module MICROCHIP

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 		Configuration: Three level inverterVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 20Silic
APTGT20TL60T3G MICROSEMI

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APTGT20X60T3G MICROSEMI

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APTGT225A170 ADPOW

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 		Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT225A170G MICROSEMI

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