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APTGT225DU170G PDF预览

APTGT225DU170G

更新时间： 2024-11-24 04:49:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 247K
描述
Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT225DU170G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数：7Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
其他特性：AVALANCHE RATED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：340 A集电极-发射极最大电压：1700 V
配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X7
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：7
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：1100 ns标称接通时间 (ton)：450 ns
Base Number Matches：1

APTGT225DU170G 数据手册

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APTGT225DU170G  
Dual common source  
Trench + Field Stop IGBT®  
Power Module  
VCES = 1700V  
IC = 225A @ Tc = 80°C  
Application  
•
•
•
AC Switches  
C1  
C2  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Q1  
Q2  
G1  
E1  
G2  
E2  
Features  
•
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
E
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
M5 power connectors  
•
High level of integration  
G1  
E1  
C1  
E
C2  
Benefits  
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
E2  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
G2  
RoHS Compliant  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
1700  
340  
V
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
TC = 80°C  
TC = 25°C  
225  
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
450  
±20  
1250  
V
W
TC = 25°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
Tj = 125°C 450A @ 1600V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 5  
www.microsemi.com  
12345

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与APTGT225DU170G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT225DU170G-Module MICROCHIP

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 		Configuration: Dual common sourceVCES (V): 1700VCESat (V): 2Current (A) Tc=80C: 225Silicon
APTGT225SK170 ADPOW

获取价格

 		Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT225SK170G MICROSEMI

获取价格

 		Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT225SK170G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Buck chopperVCES (V): 1700VCESat (V): 2Current (A) Tc=80C: 225Silicon type:
APTGT25A120D1 ADPOW

获取价格

 		Phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT25A120D1 MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
APTGT25A120D1G MICROSEMI

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
APTGT25A120T1G MICROSEMI

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 		Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT® Powe
APTGT25DA120D1 ADPOW

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APTGT25H120T1G MICROSEMI

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 		Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT®

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