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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.66 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 340 A | 集电极-发射极最大电压： | 1700 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-XUFM-X5 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1100 ns | 标称接通时间 (ton)： | 450 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGT225SK170G | MICROSEMI |
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Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT225SK170G-Module | MICROCHIP |
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Configuration: Buck chopperVCES (V): 1700VCESat (V): 2Current (A) Tc=80C: 225Silicon type: |
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| APTGT25A120D1 | ADPOW |
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Phase leg Trench IGBT Power Module |
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| APTGT25A120D1 | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| APTGT25A120D1G | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| APTGT25A120T1G | MICROSEMI |
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Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT® Powe |
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| APTGT25DA120D1 | ADPOW |
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Boost chopper Trench IGBT Power Module |
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| APTGT25H120T1G | MICROSEMI |
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Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT® |
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| APTGT25SK120D1 | ADPOW |
获取价格 |
Buck chopper Trench IGBT Power Module |
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| APTGT25X120T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
3 Phase bridge Trench Field Stop IGBT® Powe |
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