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Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGT25X120T3G
APTGT25X120T3G PDF预览

APTGT25X120T3G

更新时间： 2024-01-03 01:02:17
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体电源电路晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
5页 278K
描述
3 Phase bridge Trench Field Stop IGBT® Power Module

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APTGT25X120T3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25
针数：25Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：40 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X25JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：6
端子数量：25最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：156 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：610 ns
标称接通时间 (ton)：140 nsVCEsat-Max：2.1 V
Base Number Matches：1

APTGT25X120T3G 数据手册

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APTGT25X120T3G  
3 Phase bridge  
Trench + Field Stop IGBT®  
Power Module  
VCES = 1200V  
IC = 25A @ Tc = 80°C  
15  
16  
19  
31  
Application  
•
Motor control  
23  
25  
29  
30  
14  
Features  
20  
•
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
18  
22  
28  
R1  
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
8
7
4
3
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
11  
13  
10  
12  
Low leakage current  
2
RBSOA and SCSOA rated  
It is recommended to connect a decoupling capacitor  
•
•
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
between pins 31 & 2 to reduce switching overvoltages, if DC  
Power is connected between pins 15, 16 & 12.  
Pins 15 & 16 must be shorted together.  
High level of integration  
Internal thermistor for temperature monitoring  
Benefits  
28 27 26 25  
23 22  
20 19 18  
•
Outstanding performance at high frequency  
operation  
29  
30  
16  
15  
•
•
•
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal  
for easy PCB mounting  
31  
32  
14  
13  
•
•
Low profile  
RoHS compliant  
2
3
4
7
8
10 11  
12  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
1200  
40  
V
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
TC = 80°C  
TC = 25°C  
25  
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
50  
±20  
156  
V
W
TC = 25°C  
Tj = 125°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operation Area  
50A @ 1150V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 5  
www.microsemi.com  
12345

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与APTGT25X120T3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT25X120T3G-Module MICROCHIP

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 		Configuration: Three Phase bridgeVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 25Silico
APTGT300A120 ADPOW

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 		Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT300A120D3 ADPOW

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 		Phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT300A120D3G MICROSEMI

获取价格

 		Phase leg Trench + Field Stop IGBT3 Power Module
APTGT300A120D3G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Phase legVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 300Silicon type:
APTGT300A120G MICROSEMI

获取价格

 		Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT300A120G_09 MICROSEMI

获取价格

 		Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT300A120G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Phase legVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 300Silicon type:
APTGT300A170 ADPOW

获取价格

 		Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT300A170D3 ADPOW

获取价格

 		Phase leg Trench IGBT Power Module

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