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Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGT20A60T1G
APTGT20A60T1G PDF预览

APTGT20A60T1G

更新时间： 2024-11-24 06:37:31
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体电源电路晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
5页 275K
描述
Phase leg Trench + Field Stop IGBT® Power Module

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APTGT20A60T1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-T12针数：12
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：32 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-T12
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：12
最高工作温度：175 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：62 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：310 ns标称接通时间 (ton)：170 ns
VCEsat-Max：1.9 VBase Number Matches：1

APTGT20A60T1G 数据手册

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APTGT20A60T1G  
Phase leg  
Trench + Field Stop IGBT®  
Power Module  
VCES = 600V  
IC = 20A @ Tc = 80°C  
Application  
5
6
11  
•
•
•
•
Welding converters  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
Q1  
CR1  
CR2  
7
8
Features  
•
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
3
4
NTC  
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Q2  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
9
Low leakage current  
10  
RBSOA and SCSOA rated  
•
Very low stray inductance  
-
Symmetrical design  
12  
1
2
•
•
Internal thermistor for temperature monitoring  
High level of integration  
Benefits  
•
•
•
•
Outstanding performance at high frequency operation  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
•
•
Low profile  
RoHS Compliant  
Pins 1/2 ; 3/4 ; 5/6 must be shorted together  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
V
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
32  
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
20  
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
40  
±20  
62  
V
W
TC = 25°C  
TJ = 150°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
40A @ 550V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 – 5  
www.microsemi.com  
12345

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