Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGT20A60T1G

APTGT20A60T1G

更新时间： 2024-02-21 22:29:37

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美高森美 - MICROSEMI		晶体电源电路晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
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Phase leg Trench + Field Stop IGBT® Power Module

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APTGT20A60T1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-T12	针数：	12
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	32 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-T12
JESD-609代码：	e1	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	12
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	62 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	310 ns	标称接通时间 (ton)：	170 ns
VCEsat-Max：	1.9 V	Base Number Matches：	1

APTGT20A60T1G 数据手册

APTGT20A60T1G

Phase leg

Trench + Field Stop IGBT^®

Power Module

V_CES= 600V

I_C= 20A @ Tc = 80°C

Application

•

Welding converters

Switched Mode Power Supplies

Uninterruptible Power Supplies

Motor control

CR1

CR2

Features

•

Trench + Field Stop IGBT^®Technology

NTC

Low voltage drop

Low tail current

Switching frequency up to 20 kHz

Soft recovery parallel diodes

Low diode VF

Low leakage current

RBSOA and SCSOA rated

•

Very low stray inductance

Symmetrical design

•

Internal thermistor for temperature monitoring

High level of integration

Benefits

•

Outstanding performance at high frequency operation

Direct mounting to heatsink (isolated package)

Low junction to case thermal resistance

Solderable terminals both for power and signal for

easy PCB mounting

•

Low profile

RoHS Compliant

Pins 1/2 ; 3/4 ; 5/6 must be shorted together

Absolute maximum ratings

Symbol

Parameter

Max ratings

Unit

V_CES

Collector - Emitter Breakdown Voltage

600

T_C= 25°C

T_C= 80°C

T_C= 25°C

I_C

Continuous Collector Current

I_CM

V_GE

P_D

Pulsed Collector Current

Gate – Emitter Voltage

Maximum Power Dissipation

±20

T_C= 25°C

T_J= 150°C

RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area

40A @ 550V

These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note

APT0502 on www.microsemi.com

1 – 5

www.microsemi.com

12 3 4 5

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