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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.73 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 32 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | COMMON COLLECTOR, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X25 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 25 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 310 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 170 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGT20DSK60T3G | MICROSEMI |
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Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT20H60T1G | MICROSEMI |
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Full bridge Trench + Field Stop IGBT® Power M |
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| APTGT20H60T1G-Module | MICROCHIP |
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Configuration: Full bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 20Silicon type: |
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| APTGT20H60T3 | ADPOW |
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Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT20H60T3G | MICROSEMI |
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Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT20TL601G | MICROSEMI |
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Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT20TL601G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Three level inverterVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 20Silic |
|
| APTGT20TL60T3G | MICROSEMI |
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Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT20X60T3G | MICROSEMI |
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3 Phase bridge Trench + Field Stop IGBT® Powe |
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| APTGT225A170 | ADPOW |
获取价格 |
Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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