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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APTC80DSK15T3G
APTC80DSK15T3G PDF预览

APTC80DSK15T3G

更新时间： 2024-11-27 04:06:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 309K
描述
Dual Buck chopper Super Junction MOSFET Power Module

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APTC80DSK15T3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25
针数：25Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.64
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：670 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR最小漏源击穿电压：800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：28 A最大漏极电流 (ID)：28 A
最大漏源导通电阻：0.15 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X25JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：25工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：277 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

APTC80DSK15T3G 数据手册

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APTC80DSK15T3G  
Dual Buck chopper  
Super Junction MOSFET  
Power Module  
VDSS = 800V  
RDSon = 150mΩ max @ Tj = 25°C  
ID = 28A @ Tc = 25°C  
Application  
13 14  
•
•
AC and DC motor control  
Switched Mode Power Supplies  
Q1  
Q2  
Features  
11  
10  
18  
19  
•
22  
23  
7
8
-
-
-
-
-
Ultra low RDSon  
Low Miller capacitance  
Ultra low gate charge  
Avalanche energy rated  
Very rugged  
CR1  
CR2  
32  
•
•
Kelvin source for easy drive  
Very low stray inductance  
29  
15  
30  
31  
R1  
-
Symmetrical design  
16  
•
•
Internal thermistor for temperature monitoring  
High level of integration  
Benefits  
28 27 26 25  
23 22  
20 19 18  
•
•
•
•
Outstanding performance at high frequency operation  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
29  
30  
16  
15  
31  
32  
14  
13  
•
•
Low profile  
Each leg can be easily paralleled to achieve a single  
buck of twice the current capability  
RoHS Compliant  
2
3
4
7
8
10 11  
12  
•
All multiple inputs and outputs must be shorted together  
Example: 13/14 ; 29/30 ; 22/23 …  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VDSS  
Drain - Source Breakdown Voltage  
800  
V
Tc = 25°C  
28  
21  
110  
±30  
150  
277  
ID  
Continuous Drain Current  
A
Tc = 80°C  
IDM  
VGS  
RDSon  
PD  
Pulsed Drain current  
Gate - Source Voltage  
V
mΩ  
W
Drain - Source ON Resistance  
Maximum Power Dissipation  
Tc = 25°C  
IAR  
EAR  
EAS  
Avalanche current (repetitive and non repetitive)  
17  
0.5  
670  
A
Repetitive Avalanche Energy  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 – 6  
www.microsemi.com  
123456

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