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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12 | 针数： | 12 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 1940 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| 最小漏源击穿电压： | 900 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 59 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 59 A | 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-XUFM-X12 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 12 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 462 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 150 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTC90DAM60CT1G | MICROSEMI |
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Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module |
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| APTC90DAM60T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module |
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| APTC90DDA12CT1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual boost chopper Super Junction MOSFET SiC chopper diode |
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| APTC90DDA12T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual boost chopper Super Junction MOSFET Power Module |
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| APTC90DSK12CT1G | MICROSEMI |
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Dual buck chopper Super Junction MOSFET SiC chopper diode |
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| APTC90DSK12T1G | MICROSEMI |
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Dual Buck chopper Super Junction MOSFET Power Module |
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| APTC90H12SCTG | MICROSEMI |
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Full - Bridge Series & SiC parallel diodes Super Junction MOSFET Power Module |
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| APTC90H12T1G | MICROSEMI |
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Full - Bridge Super Junction MOSFET Power Module |
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| APTC90HM60T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Full - Bridge Super Junction MOSFET Power Module |
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| APTC90SKM60CT1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Buck chopper Super Junction MOSFET SiC chopper diode |
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