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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10 | 针数： | 12 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1940 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 59 A | 最大漏极电流 (ID)： | 59 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X10 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 10 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 462 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 150 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTC90DDA12CT1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual boost chopper Super Junction MOSFET SiC chopper diode |
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| APTC90DDA12T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual boost chopper Super Junction MOSFET Power Module |
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| APTC90DSK12CT1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual buck chopper Super Junction MOSFET SiC chopper diode |
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| APTC90DSK12T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual Buck chopper Super Junction MOSFET Power Module |
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| APTC90H12SCTG | MICROSEMI |
获取价格 |
Full - Bridge Series & SiC parallel diodes Super Junction MOSFET Power Module |
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| APTC90H12T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Full - Bridge Super Junction MOSFET Power Module |
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| APTC90HM60T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Full - Bridge Super Junction MOSFET Power Module |
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| APTC90SKM60CT1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Buck chopper Super Junction MOSFET SiC chopper diode |
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| APTC90SKM60T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Buck chopper Super Junction MOSFET Power Module |
|
| APTC90TAM60TPG | MICROSEMI |
获取价格 |
Triple phase leg Super Junction MOSFET Power Module |
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