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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APTC80H29T1G
APTC80H29T1G PDF预览

APTC80H29T1G

更新时间： 2024-11-29 08:33:35
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 325K
描述
Full - Bridge Super Junction MOSFET Power Module

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APTC80H29T1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN针数：12
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：670 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：COMPLEX最小漏源击穿电压：800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.29 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X12JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：4
端子数量：12工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：156 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

APTC80H29T1G 数据手册

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APTC80H29T1G  
VDSS = 800V  
Full - Bridge  
Super Junction MOSFET  
Power Module  
R
DSon = 290mΩ max @ Tj = 25°C  
ID = 15A @ Tc = 25°C  
3
4
Application  
•
•
•
•
Welding converters  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
Q1  
Q3  
5
7
2
9
6
1
Features  
Q2  
Q4  
•
-
-
-
-
-
Ultra low RDSon  
Low Miller capacitance  
Ultra low gate charge  
Avalanche energy rated  
Very rugged  
8
10  
•
Very low stray inductance  
Symmetrical design  
NTC  
-
11  
12  
•
•
Internal thermistor for temperature monitoring  
High level of integration  
Benefits  
•
•
•
•
Outstanding performance at high frequency operation  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
•
•
Low profile  
Each leg can be easily paralleled to achieve a phase  
leg of twice the current capability  
RoHS Compliant  
•
Pins 3/4 must be shorted together  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VDSS  
Drain - Source Breakdown Voltage  
800  
V
Tc = 25°C  
15  
ID  
Continuous Drain Current  
A
Tc = 80°C  
11  
IDM  
VGS  
RDSon  
Pulsed Drain current  
Gate - Source Voltage  
Drain - Source ON Resistance  
60  
±30  
290  
V
mΩ  
W
PD  
IAR  
EAR  
EAS  
Maximum Power Dissipation  
Tc = 25°C  
156  
17  
0.5  
670  
Avalanche current (repetitive and non repetitive)  
A
Repetitive Avalanche Energy  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 – 6  
www.microsemi.com  
123456

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