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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APTC80H29T3
APTC80H29T3 PDF预览

APTC80H29T3

更新时间： 2024-11-27 04:06:39
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 336K
描述
Full - Bridge Super Junction MOSFET Power Module

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APTC80H29T3 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.64
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：670 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：COMPLEX最小漏源击穿电压：800 V
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.29 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XUFM-X25
元件数量：4端子数量：25
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APTC80H29T3 数据手册

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APTC80H29T3  
Full - Bridge  
Super Junction MOSFET  
Power Module  
VDSS = 800V  
RDSon = 290mΩ max @ Tj = 25°C  
ID = 15A @ Tc = 25°C  
Application  
13 14  
•
•
•
Welding converters  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Q1  
Q3  
18  
19  
11  
10  
Features  
22  
23  
7
8
•
-
-
-
-
-
Ultra low RDSon  
Q2  
Q4  
32  
Low Miller capacitance  
Ultra low gate charge  
Avalanche energy rated  
Very rugged  
4
3
26  
27  
•
•
Kelvin source for easy drive  
Very low stray inductance  
29  
30  
31  
R1  
15  
16  
-
Symmetrical design  
•
•
Internal thermistor for temperature monitoring  
High level of integration  
28 27 26 25  
23 22  
20 19 18  
Benefits  
29  
30  
16  
•
•
•
•
Outstanding performance at high frequency operation  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
15  
31  
32  
14  
13  
•
•
Low profile  
Each leg can be easily paralleled to achieve a phase  
leg of twice the current capability  
2
3
4
7
8
10 11  
12  
All multiple inputs and outputs must be shorted together  
Example: 13/14 ; 29/30 ; 22/23 …  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VDSS  
Drain - Source Breakdown Voltage  
800  
V
Tc = 25°C  
15  
ID  
Continuous Drain Current  
A
Tc = 80°C  
11  
IDM  
VGS  
RDSon  
Pulsed Drain current  
Gate - Source Voltage  
Drain - Source ON Resistance  
60  
±30  
290  
V
mΩ  
W
PD  
IAR  
EAR  
EAS  
Maximum Power Dissipation  
Tc = 25°C  
156  
24  
0.5  
670  
Avalanche current (repetitive and non repetitive)  
A
Repetitive Avalanche Energy  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 – 6  
APT website – http://www.advancedpower.com  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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