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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12 | 针数： | 12 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.37 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 1800 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 143 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 143 A | 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-XUFM-X12 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 12 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 833 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 572 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTC60DAM18CTG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Super junction MOSFETUltra low RDSonLow Miller capacitanceUltra low gate chargeAvalanche e |
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| APTC60DAM24CT1G | MICROSEMI |
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Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module |
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| APTC60DAM24T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module |
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| APTC60DAM35T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module |
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| APTC60DDAM24T3G | MICROSEMI |
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Dual boost chopper Super Junction MOSFET Power Module |
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| APTC60DDAM24T3G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Super junction MOSFETUltra low RDSonLow Miller capacitanceUltra low gate chargeAvalanche e |
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| APTC60DDAM35T3 | ADPOW |
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Dual boost chopper Super Junction MOSFET Power Module |
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| APTC60DDAM35T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual boost chopper Super Junction MOSFET Power Module |
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| APTC60DDAM35T3G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Super junction MOSFETUltra low RDSonLow Miller capacitanceUltra low gate chargeAvalanche e |
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| APTC60DDAM45CT1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual boost chopper Super Junction MOSFET Power Module |
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