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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APTC60DAM24CT1G
APTC60DAM24CT1G PDF预览

APTC60DAM24CT1G

更新时间： 2024-11-24 06:37:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 252K
描述
Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module

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APTC60DAM24CT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10针数：12
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.76Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：1900 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：95 A
最大漏极电流 (ID)：95 A最大漏源导通电阻：0.024 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XUFM-X10
元件数量：1端子数量：10
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：462 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：260 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

APTC60DAM24CT1G 数据手册

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APTC60DAM24CT1G  
VDSS = 600V  
RDSon = 24mΩ max @ Tj = 25°C  
ID = 95A @ Tc = 25°C  
Boost chopper  
Super Junction MOSFET  
Power Module  
Application  
AC and DC motor control  
•
•
•
5
6
11  
Switched Mode Power Supplies  
Power Factor Correction  
Features  
CR1  
Q2  
•
-
-
-
-
-
Ultra low RDSon  
3
4
NTC  
Low Miller capacitance  
Ultra low gate charge  
Avalanche energy rated  
Very rugged  
9
10  
•
CR1 SiC Schottky Diode  
- Zero reverse recovery  
1
2
12  
- Zero forward recovery  
- Temperature Independent switching behavior  
- Positive temperature coefficient on VF  
•
•
•
Very low stray inductance  
Internal thermistor for temperature monitoring  
High level of integration  
Benefits  
•
•
•
•
Outstanding performance at high frequency operation  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
Pins 1/2 ; 3/4 ; 5/6 must be shorted together  
•
•
Low profile  
RoHS Compliant  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VDSS  
Drain - Source Breakdown Voltage  
600  
95  
70  
V
Tc = 25°C  
Tc = 80°C  
ID  
Continuous Drain Current  
A
IDM  
VGS  
RDSon  
Pulsed Drain current  
Gate - Source Voltage  
Drain - Source ON Resistance  
260  
±20  
24  
V
mΩ  
W
PD  
Maximum Power Dissipation  
Tc = 25°C  
462  
IAR  
EAR  
EAS  
Avalanche current (repetitive and non repetitive)  
Repetitive Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy  
15  
3
1900  
A
mJ  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 – 7  
www.microsemi.com  
1234567

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APTC60DAM24CT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
APTC60SKM24CT1G MICROSEMI

类似代替

 Buck chopper Super Junction MOSFET SiC chopper diode
APTC60DAM24T1G MICROSEMI

类似代替

 Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module

与APTC60DAM24CT1G相关器件

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APTC60DAM24T1G MICROSEMI

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APTC60DAM35T1G MICROSEMI

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 		Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module
APTC60DDAM24T3G MICROSEMI

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 		Dual boost chopper Super Junction MOSFET Power Module
APTC60DDAM24T3G-Module MICROCHIP

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 		Super junction MOSFETUltra low RDSonLow Miller capacitanceUltra low gate chargeAvalanche e
APTC60DDAM35T3 ADPOW

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 		Dual boost chopper Super Junction MOSFET Power Module
APTC60DDAM35T3G MICROSEMI

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 		Dual boost chopper Super Junction MOSFET Power Module
APTC60DDAM35T3G-Module MICROCHIP

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 		Super junction MOSFETUltra low RDSonLow Miller capacitanceUltra low gate chargeAvalanche e
APTC60DDAM45CT1G MICROSEMI

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 		Dual boost chopper Super Junction MOSFET Power Module
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 		Dual boost chopper Super Junction MOSFET Power Module
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 		Super junction MOSFETUltra low RDSonLow Miller capacitanceUltra low gate chargeAvalanche e

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