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APTC60DDAM35T3

更新时间： 2024-11-24 04:06:39
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ADPOW 晶体晶体管开关脉冲局域网
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6页 338K
描述
Dual boost chopper Super Junction MOSFET Power Module

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APTC60DDAM35T3 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.63
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：1800 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：72 A
最大漏源导通电阻：0.035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X25元件数量：2
端子数量：25工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

APTC60DDAM35T3 数据手册

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APTC60DDAM35T3  
Dual boost chopper  
Super Junction MOSFET  
Power Module  
VDSS = 600V  
RDSon = 35mΩ max @ Tj = 25°C  
ID = 72A @ Tc = 25°C  
Application  
13 14  
•
•
•
AC and DC motor control  
Switched Mode Power Supplies  
Power Factor Correction  
CR1  
CR2  
22  
23  
7
8
Features  
•
-
-
-
-
-
Ultra low RDSon  
Q2  
Q1  
Low Miller capacitance  
Ultra low gate charge  
Avalanche energy rated  
Very rugged  
26  
27  
4
3
•
•
Kelvin source for easy drive  
Very low stray inductance  
29  
30  
31  
R1  
32  
15  
16  
-
Symmetrical design  
•
•
Internal thermistor for temperature monitoring  
High level of integration  
28 27 26 25  
23 22  
20 19 18  
Benefits  
29  
30  
16  
•
•
•
•
Outstanding performance at high frequency operation  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
15  
31  
32  
14  
13  
•
•
Low profile  
Each leg can be easily paralleled to achieve a single  
boost of twice the current capability  
2
3
4
7
8
10 11  
12  
All multiple inputs and outputs must be shorted together  
Example: 13/14 ; 29/30 ; 22/23 …  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VDSS  
Drain - Source Breakdown Voltage  
600  
V
Tc = 25°C  
72  
54  
200  
±20  
35  
416  
20  
1
1800  
ID  
Continuous Drain Current  
A
Tc = 80°C  
IDM  
VGS  
RDSon  
Pulsed Drain current  
Gate - Source Voltage  
Drain - Source ON Resistance  
V
mΩ  
W
PD  
IAR  
EAR  
EAS  
Maximum Power Dissipation  
Tc = 25°C  
Avalanche current (repetitive and non repetitive)  
A
Repetitive Avalanche Energy  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
APT website – http://www.advancedpower.com  
1 - 6  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTC60DDAM35T3G MICROSEMI

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 		Dual boost chopper Super Junction MOSFET Power Module
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APTC60DDAM45CT1G MICROSEMI

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