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APTC60DSKM35T3

更新时间： 2024-11-24 20:28:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 338K
描述
Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 600V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-25

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APTC60DSKM35T3 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：MODULE-25针数：25
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.69
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1800 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：72 A最大漏极电流 (ID)：72 A
最大漏源导通电阻：0.035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X25JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：25
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：416 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APTC60DSKM35T3 数据手册

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APTC60DSKM35T3  
Dual buck chopper  
Super Junction MOSFET  
Power Module  
VDSS = 600V  
RDSon = 35mΩ max @ Tj = 25°C  
ID = 72A @ Tc = 25°C  
Application  
13 14  
•
•
AC and DC motor control  
Switched Mode Power Supplies  
Q1  
Q2  
Features  
11  
10  
18  
19  
•
22  
23  
7
8
-
-
-
-
-
Ultra low RDSon  
Low Miller capacitance  
Ultra low gate charge  
Avalanche energy rated  
Very rugged  
CR1  
CR2  
32  
•
•
Kelvin source for easy drive  
Very low stray inductance  
29  
15  
30  
31  
R1  
-
Symmetrical design  
16  
•
•
Internal thermistor for temperature monitoring  
High level of integration  
Benefits  
28 27 26 25  
23 22  
20 19 18  
•
•
•
•
Outstanding performance at high frequency operation  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
29  
30  
16  
15  
•
•
Low profile  
31  
32  
14  
13  
Each leg can be easily paralleled to achieve a single  
buck of twice the current capability  
2
3
4
7
8
10 11  
12  
All multiple inputs and outputs must be shorted together  
Example: 13/14 ; 29/30 ; 22/23 …  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VDSS  
Drain - Source Breakdown Voltage  
600  
V
Tc = 25°C  
72  
54  
200  
±20  
35  
416  
20  
1
1800  
ID  
Continuous Drain Current  
A
Tc = 80°C  
IDM  
VGS  
RDSon  
Pulsed Drain current  
Gate - Source Voltage  
Drain - Source ON Resistance  
V
mΩ  
W
PD  
IAR  
EAR  
EAS  
Maximum Power Dissipation  
Tc = 25°C  
Avalanche current (repetitive and non repetitive)  
A
Repetitive Avalanche Energy  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
APT website – http://www.advancedpower.com  
1 - 6  
123456

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