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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APTC60HM70SCTG
APTC60HM70SCTG PDF预览

APTC60HM70SCTG

更新时间： 2024-11-24 04:06:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体二极管晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 318K
描述
Full - Bridge Series & SiC parallel diodes Super Junction MOSFET Power Module

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APTC60HM70SCTG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14针数：14
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.3
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1800 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：39 A最大漏极电流 (ID)：39 A
最大漏源导通电阻：0.07 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X14JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：4
端子数量：14工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：250 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：156 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

APTC60HM70SCTG 数据手册

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APTC60HM70SCTG  
Full - Bridge  
Series & SiC parallel diodes  
Super Junction  
VDSS = 600V  
RDSon = 70mΩ max @ Tj = 25°C  
ID = 39A @ Tc = 25°C  
MOSFET Power Module  
Application  
•
•
•
Motor control  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
VBUS  
CR1A  
CR3A  
Features  
CR1B CR3B  
OUT1 OUT2  
Q1  
Q3  
•
G3  
S3  
G1  
S1  
-
Ultra low RDSon  
-
-
-
Low Miller capacitance  
Ultra low gate charge  
Avalanche energy rated  
CR2A  
CR4A  
CR2B CR4B  
Q2  
Q4  
•
Parallel SiC Schottky Diode  
G4  
S4  
G2  
S2  
-
-
-
-
Zero reverse recovery  
Zero forward recovery  
Temperature Independent switching behavior  
Positive temperature coefficient on VF  
0/VBUS  
NTC1  
NTC2  
•
•
Kelvin source for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
Internal thermistor for temperature monitoring  
High level of integration  
•
•
G3  
S3  
G4  
S4  
OUT2  
OUT1  
Benefits  
•
•
•
•
Outstanding performance at high frequency operation  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
VBUS  
0/VBUS  
S1  
G1  
S2  
G2  
NTC2  
NTC1  
•
•
Low profile  
RoHS compliant  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain - Source Breakdown Voltage  
Max ratings  
Unit  
V
600  
Tc = 25°C  
39  
ID  
Continuous Drain Current  
A
Tc = 80°C  
29  
IDM  
VGS  
Pulsed Drain current  
160  
±20  
70  
250  
20  
1
1800  
Gate - Source Voltage  
Drain - Source ON Resistance  
V
mΩ  
W
RDSon  
PD  
IAR  
EAR  
EAS  
Maximum Power Dissipation  
Avalanche current (repetitive and non repetitive)  
Repetitive Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy  
Tc = 25°C  
A
mJ  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
www.microsemi.com  
1 – 8  
12345678

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与APTC60HM70SCTG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTC60HM70SCTG-Module MICROCHIP

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 		Super junction MOSFETUltra low RDSonLow Miller capacitanceUltra low gate chargeAvalanche e
APTC60HM70T1G MICROSEMI

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 		Full - Bridge Super Junction MOSFET Power Module
APTC60HM70T1G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Super junction MOSFETUltra low RDSonLow Miller capacitanceUltra low gate chargeAvalanche e
APTC60HM70T3 ADPOW

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 		Full - Bridge Super Junction MOSFET Power Module
APTC60HM70T3G MICROSEMI

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 		Full - Bridge Super Junction MOSFET Power Module
APTC60HM70T3G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Super junction MOSFETUltra low RDSonLow Miller capacitanceUltra low gate chargeAvalanche e
APTC60SKM24CT1G MICROSEMI

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 		Buck chopper Super Junction MOSFET SiC chopper diode
APTC60SKM24CT1G-Module MICROCHIP

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