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APTC60AM24SCTG

更新时间： 2024-11-24 06:37:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 235K
描述
Phase leg Series & SiC parallel diodes Super Junction MOSFET Power Module

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APTC60AM24SCTG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：ROHS COMPLIANT, SP4, 10 PIN针数：10
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.81其他特性：AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：1900 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：95 A最大漏源导通电阻：0.024 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XUFM-X9
元件数量：2端子数量：9
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：260 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

APTC60AM24SCTG 数据手册

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APTC60AM24SCTG  
VDSS = 600V  
Phase leg  
RDSon = 24mΩ max @ Tj = 25°C  
ID = 95A @ Tc = 25°C  
Series & SiC parallel diodes  
Super Junction  
MOSFET Power Module  
Application  
Motor control  
•
•
•
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
NTC2  
VBUS  
Features  
•
Q1  
-
Ultra low RDSon  
-
-
-
Low Miller capacitance  
Ultra low gate charge  
Avalanche energy rated  
G1  
OUT  
S1  
•
Parallel SiC Schottky Diode  
Q2  
-
-
-
-
Zero reverse recovery  
Zero forward recovery  
Temperature Independent switching behavior  
Positive temperature coefficient on VF  
G2  
0/VBUS  
S2  
•
•
Kelvin source for easy drive  
Very low stray inductance  
NTC1  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
•
Internal thermistor for temperature monitoring  
High level of integration  
OUT  
VBUS  
Benefits  
OUT  
•
•
•
•
Outstanding performance at high frequency operation  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
0/VBUS  
S1  
G1  
S2  
G2  
NTC2  
NTC1  
•
•
Low profile  
RoHS Compliant  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VDSS  
Drain - Source Breakdown Voltage  
600  
95  
70  
V
Tc = 25°C  
Tc = 80°C  
ID  
Continuous Drain Current  
A
IDM  
VGS  
RDSon  
Pulsed Drain current  
Gate - Source Voltage  
Drain - Source ON Resistance  
260  
±20  
24  
V
mΩ  
W
PD  
Maximum Power Dissipation  
Tc = 25°C  
462  
IAR  
EAR  
EAS  
Avalanche current (repetitive and non repetitive)  
Repetitive Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy  
15  
3
1900  
A
mJ  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 – 7  
www.microsemi.com  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTC60AM24SCTG-Module MICROCHIP

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