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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APTC60AM35SCT
APTC60AM35SCT PDF预览

APTC60AM35SCT

更新时间： 2024-11-24 08:33:35
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体二极管晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 318K
描述
Phase leg Series & SiC parallel diodes Super Junction MOSFET Power Module

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APTC60AM35SCT 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.63
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：1800 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：72 A
最大漏源导通电阻：0.035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X10元件数量：2
端子数量：10工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：288 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

APTC60AM35SCT 数据手册

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APTC60AM35SCT  
Phase leg  
VDSS = 600V  
Series & SiC parallel diodes  
Super Junction  
RDSon = 35mꢀ max @ Tj = 25°C  
ID = 72A @ Tc = 25°C  
MOSFET Power Module  
Application  
Sꢁ Motor control  
NTC2  
VBUS  
Sꢁ Switched Mode Power Supplies  
Sꢁ Uninterruptible Power Supplies  
Q1  
Features  
Sꢁ  
G1  
OUT  
-
-
-
-
Ultra low RDSon  
Low Miller capacitance  
Ultra low gate charge  
Avalanche energy rated  
S1  
Q2  
G2  
Sꢁ Parallel SiC Schottky Diode  
-
-
-
-
Zero reverse recovery  
0/VBUS  
Zero forward recovery  
S2  
Temperature Independent switching behavior  
Positive temperature coefficient on VF  
NTC1  
Sꢁ Kelvin source for easy drive  
Sꢁ Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
Sꢁ Internal thermistor for temperature monitoring  
Sꢁ High level of integration  
OUT  
VBUS  
Benefits  
Sꢁ Outstanding performance at high frequency operation  
Sꢁ Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Sꢁ Low junction to case thermal resistance  
Sꢁ Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
OUT  
0/VBUS  
S1  
G1  
S2  
G2  
NTC2  
NTC1  
Sꢁ Low profile  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VDSS  
Drain - Source Breakdown Voltage  
Continuous Drain Current  
600  
72  
V
Tc = 25°C  
Tc = 80°C  
ID  
A
54  
IDM  
VGS  
Pulsed Drain current  
288  
±30  
35  
Gate - Source Voltage  
Drain - Source ON Resistance  
V
mꢀ  
W
RDSon  
PD  
IAR  
EAR  
EAS  
Maximum Power Dissipation  
Tc = 25°C  
416  
20  
Avalanche current (repetitive and non repetitive)  
A
Repetitive Avalanche Energy  
1
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
1800  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 – 7  
APT website – http://www.advancedpower.com  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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