是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | D3PAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.28 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH VOLTAGE | 雪崩能效等级(Eas): | 1210 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 800 V | 最大漏极电流 (ID): | 13 A |
最大漏源导通电阻: | 0.65 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 52 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
APT8065SVRG | MICROSEMI |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
APT8065SVRG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
APT-8066 | AGILENT |
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Wide Band Medium Power Amplifier, 4000MHz Min, 8000MHz Max, | |
APT-8066R | AGILENT |
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Wide Band Medium Power Amplifier, 4000MHz Min, 8000MHz Max, | |
APT8067HVR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. | |
APT806R5GN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 1.9A I(D) | TO-257AA | |
APT806R5KN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AC | |
APT8075 | ADPOW |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | |
APT8075AN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | TO-3 | |
APT8075BN | ADPOW |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | |
APT8075BN-BUTT | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |