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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | D3PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.28 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH VOLTAGE | 雪崩能效等级（Eas）： | 1210 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (ID)： | 13 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.65 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 52 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| APT8065SVRG | MICROSEMI |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT8065SVRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| APT-8066 | AGILENT |
获取价格 |
Wide Band Medium Power Amplifier, 4000MHz Min, 8000MHz Max, |
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| APT-8066R | AGILENT |
获取价格 |
Wide Band Medium Power Amplifier, 4000MHz Min, 8000MHz Max, |
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| APT8067HVR | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT806R5GN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 1.9A I(D) | TO-257AA |
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| APT806R5KN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AC |
|
| APT8075 | ADPOW |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT8075AN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | TO-3 |
|
| APT8075BN | ADPOW |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
|
| APT8075BN-BUTT | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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