5秒后页面跳转
APT8065SVR PDF预览

APT8065SVR

更新时间: 2024-11-21 20:27:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 高压开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 192K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3

APT8065SVR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:D3PAK-3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.28Is Samacsys:N
其他特性:HIGH VOLTAGE雪崩能效等级(Eas):1210 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:800 V最大漏极电流 (ID):13 A
最大漏源导通电阻:0.65 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):52 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

APT8065SVR 数据手册

 浏览型号APT8065SVR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APT8065SVR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号APT8065SVR的Datasheet PDF文件第4页 

APT8065SVR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
APT8065SVRG MICROSEMI

功能相似

Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与APT8065SVR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT8065SVRG MICROSEMI

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT-8066 AGILENT

获取价格

Wide Band Medium Power Amplifier, 4000MHz Min, 8000MHz Max,
APT-8066R AGILENT

获取价格

Wide Band Medium Power Amplifier, 4000MHz Min, 8000MHz Max,
APT8067HVR ADPOW

获取价格

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT806R5GN ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 1.9A I(D) | TO-257AA
APT806R5KN ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AC
APT8075 ADPOW

获取价格

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT8075AN ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | TO-3
APT8075BN ADPOW

获取价格

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT8075BN-BUTT ADPOW

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met