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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT-8076R | AGILENT |
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4000MHz - 8000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
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| APT8090AN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 10.5A I(D) | TO-3 |
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| APT8090BN | ADPOW |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT8090BN-BUTT | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT8090BN-GULLWING | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT8090BN-GULLWING | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT8090BNR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247AD |
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| APT8090BNR-BUTT | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT8090BNR-BUTT | MICROSEMI |
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12A, 800V, 0.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| APT8090BNR-GULLWING | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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